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深圳市原力达电子有限公司
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产品信息
格式 - 存储器 RAM
存储器类型 FRAM（Ferroelectric RAM）
存储容量 256K （32K x 8）
速度 40MHz
接口 SPI 串行
电压 - 电源 2 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
TPS54331D-SOIC8
TPS54620RGYR
TPS62040DRCr
MIC5259-2.5YD5
THS8200PFP
CM1213-04ST-SOT23-6
SIL9030CTU-7-TQFP80
SN74LVC1G08DCKR-SC70-5
SN74LVC1G125Q1/CLVC1G125QDBVRQ1
L6470H hTSSOP28
LM339D-14-SOP
74HC14DR/SOIC14
STM32F103VET6-LQFP100
ADM809RART-REEL-7
ADM3202ARN-NSOIC16
EP4CGX30CF23I7N
DS28E01P-100
N25Q064A11EF640E
MT47H32M16HR-25_G-FBGA-84
存储器类型 FRAM（Ferroelectric RAM）
存储容量 256K （32K x 8）
速度 40MHz
接口 SPI 串行
电压 - 电源 2 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
TPS54331D-SOIC8
TPS54620RGYR
TPS62040DRCr
MIC5259-2.5YD5
THS8200PFP
CM1213-04ST-SOT23-6
SIL9030CTU-7-TQFP80
SN74LVC1G08DCKR-SC70-5
SN74LVC1G125Q1/CLVC1G125QDBVRQ1
L6470H hTSSOP28
LM339D-14-SOP
74HC14DR/SOIC14
STM32F103VET6-LQFP100
ADM809RART-REEL-7
ADM3202ARN-NSOIC16
EP4CGX30CF23I7N
DS28E01P-100
N25Q064A11EF640E
MT47H32M16HR-25_G-FBGA-84